direkt zum Inhalt springen

direkt zum Hauptnavigationsmenü

Sie sind hier

TU Berlin

Inhalt des Dokuments

Bertha-Benz-Preis 2018 für Dr.-Ing. Despoina Petousi

Freitag, 15. Juni 2018

Medieninformation Nr. 112/2018

Dr.-Ing. Despoina Petousi wurde für ihre hervorragende Disseration im Bereich der Siliziumphotonik mit dem Bertha-Benz-Preis 2018 geehrt. Um die öffentliche Aufmerksamkeit für die Leistungen von Frauen in den Ingenieurwissenschaften zu erhöhen und junge Ingenieurinnen in ihrer Berufswahl zu bestärken, zeichnet die Daimler und Benz Stiftung seit 2009 jährlich eine Ingenieurin, die in Deutschland eine herausragende Promotion abgeschlossen hat, mit dem Bertha-Benz-Preis aus. Aufgrund der großen Anzahl an Bewerbungen auf außergewöhnlich hohem Niveau, wurden in diesem Jahr erstmalig zwei Ingenieurinnen für ihre herausragenden wissenschaftlichen Leistungen ausgezeichnet. Neben Dr.-Ing. Despoina Petousi  wurde eine Absolventin von der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg geehrt. Der mit insgesamt 10.000 Euro dotierte Preis wurde am 14. Juni in Heidelberg überreicht.

„Analysis of Integrated Silicon Depletion-Type Mach-Zehnder Modulators for Advanced Modulation Formats“ lautet der Titel der Dissertation, die Dr.-Ing. Despoina Petousi 2017 am Fachgebiet Hochfrequenztechnik & Optische Nachrichtentechnik bei Prof. Dr.-Ing. Dr. h. c. Klaus Petermann und im Joint Lab des IHP – Leibnitz-Institut für innovative Mikroelektronik abgeschlossen hat.
Unsere Informations- und Kommunikationsgesellschaft basiert ganz wesentlich auf der enormen Leistungsfähigkeit von Licht-Trägerwellen in optischen Glasfasernetzen. Der prognostizierte Durchbruch optischer Technologien hat sich bereits eindrucksvoll bewahrheitet – sie stehen allerdings noch immer weit hinter ihren Möglichkeiten zurück. Dies liegt in dem Umstand begründet, dass die heutigen Materialsysteme der Halbleiterlaser, Modulatoren und Detektoren nicht umfassend kompatibel mit dem Standardmaterial Silizium sind, das für elektronische integrierte Schaltungen verwendet  wird.

Für Einzelkomponenten wie z. B. Modulatoren wurden mit Nischenmaterialien beachtliche Kenndaten erzielt. Diese Modulatoren fallen allerdings zu groß und zu teuer aus und erweisen sich als nicht kompatibel für eine Siliziumintegration. Indem sich Desponia Petousi in ihrer Forschungsarbeit als Randbedingung eine niedrige Steuerspannung setzte, gelang ihr die Integration dieses Modulators mit einer Treiberschaltung in Silizium. So konnten sowohl sehr hohe Bit-Raten und hohe Modulationshübe als auch eine kleine Bauweise und ein geringer Stromverbrauch erzielt werden.

Wenn zukünftig der Halbleiterlaser etwa durch III/V-Halbleiter Quantenpunkte auch noch in Silizium integriert wird, so vermag nicht zuletzt durch die Arbeit von Despoina Petousi die enorme Bandbreite des Lichts wesentlich besser genutzt werden. Infolgedessen stünden wesentlich schnellere und günstigere Informations- und Kommunikationsdienste zur Verfügung, was sowohl für die Gesellschaft als auch die industrielle Anwendung von großer Bedeutung wäre. Es sind damit technische Anwendungen denkbar, von denen wir heute nur träumen können.

bk

Weitere Informationen erteilt Ihnen gern:

Prof. Dr.-Ing. Dr. h. c. Klaus Petermann
TU Berlin
Fachgebiet Hochfrequenztechnik & Optische Nachrichtentechnik
Tel.: 030/314-23346

Zusatzinformationen / Extras

Direktzugang

Schnellnavigation zur Seite über Nummerneingabe

Diese Seite verwendet Matomo für anonymisierte Webanalysen. Mehr Informationen und Opt-Out-Möglichkeiten unter Datenschutz.