Inhalt des Dokuments
/pp/ Ab Juli 2010 bis 2013 fördert das Bundesministerium für Bildung und Forschung das Verbundprojekt "Berlin WideBaSe" mit insgesamt 6,5 Millionen Euro. Zehn Unternehmen und drei Berliner Forschungsinstitute sind beteiligt, neben dem Institut für Festkörperphysik der TU Berlin das Ferdinand-Braun-Institut und die Leibniz-Institute für Höchstfrequenztechnik und für Kristallzüchtung. Die räumliche Nähe der beteiligten Partner – alle liegen in einem Umkreis von 25 Kilometern – soll die Erforschung, Anwendung und Vermarktung der Halbleitertechnologien befördern. Das Projekt hat zum Ziel, Materialien, Ausrüstungen, Bauelemente und Systeme zu entwickeln, herzustellen und zu vertreiben, die auf breitlückigen Halbleitern (Wide-Bandgap-Semiconductors – WideBaSe) basieren. Das sind Verbindungshalbleiter wie Galliumnitrid (GaN), Aluminiumnitrid (AIN), Zinkoxid (ZnO) oder Siliziumkarbid (SiC). Aus dieser Materialbreite resultieren spezifische wichtige Eigenschaften der Halbleiter wie zum Beispiel exzellente Wärmeleitfähigkeit und Funktionsfähigkeit auch bei hohen Temperaturen. Das ermöglicht die Herstellung extrem kompakter und damit sehr schneller Leistungsbauelemente, die beispielsweise in der Medizintechnik, bei der emissionsärmeren Verbrennung von Öl, in Wasserentkeimungsanlagen oder in anderen sogenannten "Greentech"-Anwendungen eingesetzt werden.
"TU intern" Oktober 2010
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- Hochschulzeitung "TU intern" - Oktober 2010 [2]
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